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DMN26D0UFB4-7
帶卷 (TR) 可替代的包裝
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MOSFET N 通道,金屬氧化物
邏輯電平門(mén)
20V
230mA (Ta)
3 歐姆 @ 100mA,4.5V
1.1V @ 250μA
14.1pF @ 15V
350mW
表面貼裝
3-XFDFN
MOSFET N-CH 20V 230MA DFN