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SI4166DY-T1-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：8-SOIC N
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：2,500 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：4.116
  • 類(lèi)型：FET - 單
  • PDF：SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類(lèi)型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    20.5A （Ta）， 30.5A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    3.9 毫歐 @ 15A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    65nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    2730pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    6.5W

  • 安裝類(lèi)型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 30V 30.5A 8-SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注